Изобретателем из Университетского колледж Лондона (UCL) получилось в первый раз сделать чипы "резистивной памяти с произвольным доступом" (Resistive RAM, RERAM, RRAM) на основе оксида кремния, работающие при рядовых условиях, а не в вакууме, как иные разрабатываемые в различных государствах образцы, в которых также используется оксид кремния.
Примечательно, что память была изобретена не специально: лондонские ученые изучали возможность применения оксида кремния в светодиодах и обратили внимание на нестабильность параметров пленки оксида и ее способность принимать 2 состояния, передает IXBT.com.
Это достижение открывает путь к новой сверхвысокоскоростной памяти для компьютеров, карманных медиаплееров, видеокамер и разных мобильных устройств, уверены ученые, однако когда именно создание придет в серийные электронные конструкции, английские изобретатели не говорят.
RERAM совмещает достоинства DRAM и флеш-памяти NAND. Тезис работы состоит в изменении сопротивления материала под действием напряжения. Память является энергонезависимой, то есть сохраняет свое статус в отсутствие питания. К преимуществам RERAM над широко применяемой сегодня флеш-памятью относятся, кроме высокого быстродействия, более высокая плотность, большая долговечность и меньшее потребление энергии.
Микросхемы RERAM способны обеспечивать примерно данное же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми, а в сравнении с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и заметно крупным количеством циклов перезаписи.
Работы по изобретению RERAM ведутся уже давно. Теоретические основы нового элемента электросхемотехники, какой мог стать базой для всех электрических схем и применяться наряду с сопротивлением, конденсатором и индуктивностью, были сформулированы еще в начале 1970-х гг., однако на практике реализовать эту идею не удавалось вплоть прежде 2008 г., когда ученые из Hewlett-Packard в первый раз сообщили о изготовлении работающего мемристора на базе диоксида титана.
Отдельные специалисты уверены, что уже к 2015 г. эта методика сделает устаревшей память типов DRAM и SRAM, которая используется в современных компьютерах в роли оперативной памяти.
Различие наработки UCL от всех предыдущих состоит в новой структуре ячейки памяти, состоящей из оксида кремния. Она характеризуется более большой эффективностью переключения ячейки из одного состояния в иное.
Под действием переключающего напряжения в оксиде создаются или разрушаются кремниевые "нити", соответственно увеличивающие или уменьшающие сопротивление ячейки. Важно, что чип работает при рядовых условиях, а не в вакууме.
Иной примечательной особенностью новой памяти является возможность образования ее в виде тонких прозрачных пленок, к примеру, интегрируемых в сенсорные экраны мобильных устройств.
Комментариев нет:
Отправить комментарий